參數(shù)資料
型號(hào)： BLF2048
廠(chǎng)商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： UHF push-pull power LDMOS transistor(UHF 推挽式功率LDMOS晶體管)
中文描述： 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/11頁(yè)
文件大小： 239K
代理商： BLF2048
2000 May 24
3
Philips Semiconductors
Preliminary specification
UHF push-pull power LDMOS transistor
BLF2048
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Thermal resistance is determined under nominal 2-tone RF operating conditions.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C; per section unless otherwise specified.
Note
1.
Capacitance of die only.
APPLICATION INFORMATION
RF performance in a common source class-AB circuit. T
h
= 25
°
C; R
th j-h
= 0.5 K/W; unless otherwise specified.
Ruggedness in class-AB operation
The BLF2048 is capable of withstanding a load mismatch corresponding to VSWR = 10 : 1 through all phases under the
following conditions: V
DS
= 26 V; f = 2200 MHz, P
L
= 120 W (CW).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-mb
R
th mb-h
thermal resistance from junction to mounting-base
thermal resistance from mounting-base to heatsink
P
L
= 120 W; T
mb
= 50
°
C, note 1
0.35
0.15
K/W
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
4
0.17
3.4
MAX.
3.5
10
250
UNIT
V
(BR)DSS
V
GSth
I
DSS
I
DSX
I
GSS
g
fs
R
DSon
C
rs
drain-source breakdown voltage
gate-source threshold voltage
drain-source leakage current
drain cut-off current
gate leakage current
forward transconductance
drain-source on-state resistance
feedback capacitance
V
GS
= 0; I
D
= 1.4 mA
V
DS
= 10 V; I
D
= 140 mA
V
GS
= 0; V
DS
= 26 V
V
GS
= V
GSth
+ 9 V; V
DS
= 10 V
V
GS
=
±
15 V; V
DS
= 0
V
DS
= 10 V; I
D
= 5 A
V
GS
= V
GSth
+ 9 V; I
D
= 5 A
V
GS
= 0; V
DS
= 26 V; f = 1 MHz;
note 1
65
1.5
18
V
V
μ
A
A
nA
S
pF
MODE OF OPERATION
f
(MHz)
V
DS
(V)
I
DQ
(mA)
P
L
(W)
G
p
(dB)
η
D
(%)
d
im
(dBc)
≤
25
typ.
25
2-tone, class-AB
f
1
= 2200; f
2
= 2200.1
26
28
2 x 400
2 x 400
120 (PEP)
140 (PEP)
>10
>30
typ. 31
typ. 11.2
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