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參數(shù)資料
| 型號： | BLF1820-70 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF power LDMOS transistor |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | CERAMIC, FM-2 |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大小： | 104K |
| 代理商： | BLF1820-70 |
2003 Feb 10
4
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power LDMOS transistor
BLF1820-70
handbook, halfpage
0
PL (PEP) (W)
10
5
0
20
40
80
60
MLD526
Gp
(dB)
η
D
(%)
Gp
η
D
60
20
40
0
Fig.2
typical values.
f
1
= 2000 MHz; f
2
= 2000.1 MHz; V
DS
= 26 V;
I
DQ
= 500 mA; T
h
≤
25
°
C.
Power gain and drain efficiency as a
function of peak envelope load power;
handbook, halfpage
dim
(dBc)
0
20
PL (PEP) (W)
40
80
20
60
80
40
60
MLD527
d3
d5
d7
f
1
= 2000 MHz; f
2
= 2000.1 MHz; V
DS
= 26 V;
I
DQ
= 500 mA; T
h
≤
25
°
C.
Fig.3
Intermodulation distortion as a function of
peak envelope load power; typical values.
handbook, halfpage
0
(1)
(2)
(3)
PL (W)
10
5
0
20
40
80
60
MLD528
Gp
(dB)
η
D
(%)
60
20
40
0
(3)
(1)
(2)
Fig.4
Power gain and drain efficiency as a
function of the peak envelope load power;
typical values.
f
1
= 2000 MHz; f
2
= 2000.1 MHz; V
DS
= 26 V; T
h
≤
25
°
C.
(1) I
DQ
= 400 mA.
(2) I
DQ
= 500 mA.
(3) I
DQ
= 600 mA.
handbook, halfpage
d3
(dBc)
0
(1)
(2)
(3)
20
PL (PEP) (W)
40
80
20
60
80
40
60
MLD529
Fig.5
Third order intermodulation distortion as a
function of peak envelope load power;
typical values.
V
DS
= 26 V; T
h
≤
25
°
C; f
1
= 2000 MHz; f
2
= 2000.1 MHz.
(1) I
DQ
= 400 mA.
(2) I
DQ
= 500 mA.
(3) I
DQ
= 600 mA.
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