參數(shù)資料
型號： BLF0810-180
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Base station LDMOS transistors
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/16頁
文件大小： 117K
代理商： BLF0810-180
2003 Jun 12
3
Philips Semiconductors
Product specification
Base station LDMOS transistors
BLF0810-180; BLF0810S-180
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
THERMAL CHARACTERISTICS
Notes
1.
2.
Thermal resistance is determined under RF operating conditions.
Depending on mounting condition in application.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
UNIT
V
DS
V
GS
T
stg
T
j
drain-source voltage
gate-source voltage
storage temperature
junction temperature
65
75
±
15
+
150
200
V
V
C
°
C
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-c
R
th j-hs
thermal resistance from junction to case
thermal resistance from heatsink to junction
T
h
= 25
°
C, P
L
= 35 W (AV), note 1
T
h
= 25
°
C, P
L
= 35 W (AV), note 2
0.42
0.62
K/W
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
9
60
MAX.
5
3
1
UNIT
V
(BR)DSS
V
GSth
I
DSS
I
DSX
I
GSS
g
fs
R
DSon
drain-source breakdown voltage
gate-source threshold voltage
drain-source leakage current
on-state drain current
gate leakage current
forward transconductance
drain-source on-state resistance
V
GS
= 0; I
D
= 3 mA
V
DS
= 10 V; I
D
= 300 mA
V
GS
= 0; V
DS
= 36 V
V
GS
= V
GSth
+ 9 V; V
DS
= 10 V
V
GS
=
±
20 V; V
DS
= 0
V
DS
= 10 V; I
D
= 10 A
V
GS
= 9 V; I
D
= 10 A
75
4
45
V
V
μ
A
A
μ
A
S
m
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