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參數資料
| 型號： | BFS17A_2 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | NPN 3GHz wideband transistor(NPN 3G赫茲 寬頻晶體管) |
| 中文描述： | 叩3GHz的寬帶晶體管（npn型的3G赫茲寬頻晶體管） |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 43K |
| 代理商： | BFS17A_2 |
September1995
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 3 GHz wideband transistor
BFS17A
Fig.2 Intermodulation distortion and second order intermodulation distortion test circuit.
L1 = L3 = 5
μ
H Ferroxcube choke.
L2 = 3 turns 0.4 mm copper wire; winding pitch 1 mm; internal diameter 3 mm.
handbook, full pagewidth
MBB251
18
1.5 nF
10 k
L2
L1
1 nF
75
input
270
1 nF
L3
1.5 nF
1 nF
0.68 pF
3.3 pF
DUT
75
output
VCC
VBB
Fig.3
DC current gain as a function of
collector current.
V
CE
= 1 V; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
50
0
10
30
MEA395
20
IC (mA)
hFE
Fig.4
Collector capacitance as a function of
collector-base voltage.
I
E
= 0; f = 1 MHz; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
MEA903
0
0.5
0
4
8
12
16
VCB (V)
Cc
(pF)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFT28A | TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-39 |
| BFT28 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BFT30DCSM | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | LLCC |
| BFY82DCSM | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BFT32A | NPN |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BFS17A215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF WIDEBAND TRANSISTOR NPN 15V 2.8GHZ |
| BFS17A-GS08 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.025A 3-Pin SOT-23 T/R |
| BFS17AR | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon NPN Planar RF Transistor |
| BFS17AR-GS08 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:TRANS GP BJT NPN 15V 0.025A 3PIN SOT-23 - Tape and Reel |
| BFS17AT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 25MA I(C) | SOT-23 |
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