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      •
      參數(shù)資料
      型號(hào)： BFQ67W
      廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
      英文描述： Silicon NPN Planar RF Transistor
      中文描述： 硅NPN平面射頻晶體管
      文件頁數(shù)： 2/12頁
      文件大小： 185K
      代理商： BFQ67W
      BFQ67/BFQ67R/BFQ67W
      Vishay Telefunken
      www.vishay.de
      FaxBack +1-408-970-5600
      2 (12)
      Rev. 3, 20-Jan-99
      Document Number 85022
      Absolute Maximum Ratings
      T
      amb
      = 25 C, unless otherwise specified
      Parameter
      Collector-base voltage
      Collector-emitter voltage
      Emitter-base voltage
      Collector current
      Total power dissipation
      Junction temperature
      Storage temperature range
      Test Conditions
      Symbol
      V
      CBO
      V
      CEO
      V
      EBO
      I
      C
      P
      tot
      T
      j
      T
      stg
      Value
      20
      10
      2.5
      50
      200
      150
      Unit
      V
      V
      V
      mA
      mW
      C
      C
      T
      amb
      ≤
      60 C
      –65 to +150
      Maximum Thermal Resistance
      T
      amb
      = 25 C, unless otherwise specified
      Parameter
      Junction ambient
      on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm
      3
      plated with 35 m Cu
      Test Conditions
      Symbol
      R
      thJA
      Value
      450
      Unit
      K/W
      相關(guān)PDF資料
      PDF描述
      BFQ81 Silicon NPN Planar RF Transistor
      BFQ81 Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流30mA,射頻放大器應(yīng)用的NPN平面型晶體管)
      BFR181T Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流20mA,低噪高增益放大器應(yīng)用的NPN平面型晶體管)
      BFR181TW Silicon NPN Planar RF Transistor
      BFR181T Silicon NPN Planar RF Transistor
      相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
      參數(shù)描述
      BFQ67W,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 10V 50mA 8GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
      BFQ67W,135 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 10V 50mA 300mW 60 8GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
      BFQ67W115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 10V 8GHZ
      BFQ67WT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-323
      BFQ68 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-122A
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