型號(hào): | BFM33 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 65V V(BR)DSS | SOT-262A2 |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 65V的五(巴西)決策支持系統(tǒng)|采用SOT - 262A2 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
文件大?。?/td> | 84K |
代理商: | BFM33 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BFP177 | Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
BFP178 | Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
BFP179 | Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BF-M4 | 制造商:CEMBRE 功能描述:TERMINALS BLU 4MM RING |
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BFM505 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 8V 0.018A 6-Pin SOT-363 |
BFM505 T/R | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
BFM505,115 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |