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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFG67 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | ECONOLINE: RKZ - Safety standards and approvals: EN 60950 certified, rated for 250VAC (LVD test report)- Custom Solutions Available- 3kVDC & 4kVDC Isolation- UL94V-0 Package Material- Power Sharing on Output- Efficiency to 84% |
| 中文描述： | 硅NPN平面射頻晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 10/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 515K |
| 代理商： | BFG67 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG741 | NPN 7 GHz wideband transistor |
| BFG92AW | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 25MA I(C) | SOT-343 |
| BFG92X | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFM21UK | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 65V V(BR)DSS | 200MA I(D) | SOT-223 |
| BFM23 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 65V V(BR)DSS | 1A I(D) | MACRO-X |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG67 T/R | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG67,215 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG67,235 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 10V 50mA 380mW 60 8GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG67/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND |
| BFG67/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 8 GHz wideband transistors |
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