參數(shù)資料
型號： BFG590W
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN 5 GHz wideband transistors
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SOT-343N, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大小： 110K
代理商： BFG590W
1998 Oct 15
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistors
BFG590W; BFG590W/X
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open emitter
open base
open collector
65
20
15
3
200
500
+150
175
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
T
s
≤
85
°
C; see Fig.2; note 1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
T
s
≤
85
°
C; note 1
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
180
K/W
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
50
100
200
400
0
MBG248
150
Ts
o
Ptot
(mW)
200
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