參數(shù)資料
型號(hào)： BFG410
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN 22 GHz wideband transistor
中文描述： npn型22 GHz的寬帶晶體管
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大小： 104K
代理商： BFG410
1998 Mar 11
8
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 22 GHz wideband transistor
BFG410W
Fig.12 Common emitter output reflection coefficient (S
22
); typical values.
I
C
= 10 mA; V
CE
= 2 V; Z
o
= 50
.
handbook, full pagewidth
MGG727
0
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.0
5
2
1
0.5
0.2
0
0.2
0.5
1
2
5
0.2
0.5
1
2
5
180
°
135
°
90
°
45
°
0
°
45
°
90
°
135
°
40 MHz
3 GHz
Noise data
V
CE
= 2 V; typical values.
f
(MHz)
I
C
(mA)
F
min
(dB)
Γ
mag
Γ
angle
r
n
(
)
900
1
2
4
6
8
10
12
14
1
2
4
6
8
10
12
14
0.8
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
1.2
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
0.73
0.58
0.40
0.28
0.20
0.14
0.06
0.05
0.64
0.50
0.34
0.25
0.17
0.12
0.05
0.03
11.2
10.1
10.1
11.0
8.0
10.5
10.1
14.2
35.7
35.8
34.4
33.7
34.5
35.8
38.0
44.8
0.56
0.43
0.33
0.30
0.30
0.27
0.25
0.26
0.57
0.44
0.37
0.34
0.35
0.34
0.35
0.34
2000
Fig.13 Minimum noise figure as a function of the
collector current; typical values.
(1) f = 2 GHz; V
CE
= 2 V.
(2) f = 900 MHz; V
CE
= 2 V.
handbook, halfpage
0
8
4
12
16
MGG723
1
0
2
IC (mA)
Fmin
(dB)
(1)
(2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFG505W ECONOLINE: RKZ - Safety standards and approvals: EN 60950 certified, rated for 250VAC (LVD test report)- Custom Solutions Available- 3kVDC & 4kVDC Isolation- UL94V-0 Package Material- Power Sharing on Output- Efficiency to 84%
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BFG67R TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-143R
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參數(shù)描述
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