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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BF964SB |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-103VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 20V的五（巴西）直| 30mA的一（d）|的SOT - 103VAR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大小： | 97K |
| 代理商： | BF964SB |
BF964S
Vishay Telefunken
www.vishay.com
Rev. 3, 20-Jan-99
3 (8)
Document Number 85003
Typical Characteristics
(T
amb
= 25 C unless otherwise specified)
0
50
100
150
200
250
300
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
Figure 1. Total Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
96 12159
P
t
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
DS
– Drain Source Voltage ( V )
Figure 2. Drain Current vs. Drain Source Voltage
12762
I
D
V
G1S
=2V
1.5V
1V
0V
–0.5V
–1V
0.5V
V
G2S
=4V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
–1
0
V
G1S
– Gate 1 Source Voltage ( V )
Figure 3. Drain Current vs. Gate 1 Source Voltage
1
2
3
4
5
12763
I
D
V
G2S
=6V
5V
4V
0V
–1V
2V
1V
3V
V
DS
=15V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
–1
0
V
G2S
– Gate 2 Source Voltage ( V )
Figure 4. Drain Current vs. Gate 2 Source Voltage
1
2
3
4
5
12764
I
D
0V
2V
1V
3V
V
DS
=15V
–1V
V
G1S
=4V
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
3
6
9
12 15 18 21 24 27 30
I
D
– Drain Current ( mA )
12765
C
i
V
DS
=15V
V
G2S
=4V
f=1MHz
Figure 5. Gate 1 Input Capacitance vs. Drain Current
0
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
V
DS
– Drain Source Voltage ( V )
12766
C
o
V
G2S
=4V
I
D
=10mA
f=1MHz
Figure 6. Output Capacitance vs. Drain Source Voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF964 | N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode |
| BF964S | N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode |
| BF965 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-103 |
| BF966 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-103 |
| BF966SA | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-103VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BF965 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-103 |
| BF966 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-103 |
| BF966S | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode |
| BF966SA | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 20V 0.03A 4-Pin TO-50 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Re |
| BF966SB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-103VAR |
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