參數(shù)資料
型號: BF959ZL1
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-226AA
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 20V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|至226AA
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代理商: BF959ZL1
BF959
http://onsemi.com
3
Figure 1. hFE at 10 V
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
30
50
40
200
500
1000
10
1
Figure 2. VCE(sat) at IC/IB = 10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
20
30
50
2
3
4 5
h
100
20
100
30
50
40
200
500
10
1
10
20
30
50
2
3
4
5
100
20
Figure 3. Current–Gain – Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.8
1.2
1.6
1.8
2.0
0.4
1
Figure 4. Capacitances
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
10
20
30
50
2
3
4 5
1.4
1
0.6
100
1
10
20
30
50
2
3
4 5
100
f
T
C
0.8
1.2
1.6
1.8
0.4
1.4
1
0.6
0.2
Figure 5. Input Impedance at 30 MHz
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.3
0.5
0.4
2
5
4
10
0.1
1
Figure 6. Output Impedance at 30 MHz
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
20
30
50
2
3
4 5
1
0.2
100
1
10
20
30
50
2
3
4
5
Y
40
30
100
300
500
20
200
50
10
Y
μ
3
m
5 V
10 V
2 V
Cob
Cib
Cre
VCE = 10 V
g11e
b11e
VCE = 10 V
b22e
g22e
40
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PDF描述
BF963 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 50MA I(D) | SOT-103
BF964SA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-103VAR
BF964SB TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-103VAR
BF964 N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF964S N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
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參數(shù)描述
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