參數(shù)資料
型號： BD53XXG
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： VOLTAGE DETECTOR IC
中文描述： 電壓檢測器IC
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 375K
代理商： BD53XXG
Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)
Output voltage
Nch open drain output
CMOS output
Input voltage of CT
Power dissipation:
SSOP5
(SMP5C2)
Power dissipation:
VSOF5
(EMP5)
Operating temperature range
Storage temperature range
*
1
Derating: 5.4mW/
C
for operation above Ta=25
C
.(Mounted on a 70.0mmX70.0mmX16mm glass epoxy PCB.)
*
2
Derating: 2.1mW/
C
for operation above Ta=25
C
.(Mounted on a 70.0mmX70.0mmX16mm glass epoxy PCB.)
Parameter
Symbol
VDD – GND
Unit
V
V
OUT
V
CT
Pd
Pd
Topr
Tstg
V
V
mW
C
mW
Limits
– 40
~
+ 85
– 55
~
+ 125
540
210
GND – 0.3
~
+ 10
GND – 0.3
~
VDD + 0.3
GND – 0.3
~
VDD + 0.3
C
Power supply voltage
– 0.3
~
+ 10
*
1
*
2
Characteristic diagram and Measurement circuit
—
—
—
—
—
—
0.95
0.4
—
0.90
0.95
0.75
0.80
0.85
0.90
—
1.2
—
2.70
2.85
2.25
2.40
2.55
2.70
—
—
—
—
0.80
0.85
2.40
2.55
V
DET
=2.3
~
3.1V
V
DET
=3.2
~
4.2V
V
DET
=4.3
~
5.2V
V
DET
=5.3
~
6.0V
V
DET
=2.3
~
3.1V
V
DET
=3.2
~
4.2V
V
DET
=4.3
~
5.2V
V
DET
=5.3
~
6.0V
0.1
μ
A
μ
A
μ
A
Icc1
Icc2
Ileak
Circuit current when ON
Circuit current when OFF
Output leak current
VsX0.03
VsX0.05
VsX0.08
%
V
DET
Hysteresis voltage
RL=470k
, V
DD
=L H L
*1
*1
*1
*1
Detection voltage
temperature coefficient
V
DET
/
T
—
±
100
±
360
ppm/ C
*1 This value is guranteed at Ta=25C.
*2 T
: V
=(V
typ.–0.5V) (V
typ.+0.5V).
Note) RL is not necessary for CMOS output type.
Note) Please refer to the detection voltage of Line-up table.
V
DD
=V
DET
–0.2V
V
DD
=V
DET
+2V
V
V
OPL
Min. operating voltage
R
L
=470k
, V
OL
≥
0.4V
V
DS
=0.5V, V
DD
=1.2V
V
DS
=0.5V, V
DD
=2.4V (V
DET
≥
2.7V)
V
DD
=V
DS
=10V
0.7
0.9
1.1
1.4
1.8
2.2
—
—
—
mA
I
OH
"H" output current
V
DS
=0.5V, V
DD
=4.8V V
DET
=2.3
~
4.2V
V
DS
=0.5V, V
DD
=6.0V V
DET
=4.3
~
5.2V
V
DS
=0.5V, V
DD
=8.0V V
DET
=5.3
~
6.0V
Electrical characteristics (
Unless otherwise noted; Ta=-25
~
85C)
2.0
5.0
—
mA
I
OL
"L" output current
Symbol
Min.
Max.
Unit
Conditions
Typ.
Parameter
Output delay time "L H"
Output delay time "H L"
V
DET
=2.3~2.6V
V
DET
=2.7~4.2V
V
DET
=4.3~5.2V
V
DET
=5.3~6.0V
V
DD
=V
DET
X1.1
5.5
15
150
9
12.5
—
—
M
R
CT
Output delay resistance
V
DD
=V
DET
X1.1
V
CT
=0.1V,V
DD
=0.95V
V
CT
=0.5V,V
DD
=1.5V
40
240
μ
A
I
CT
CT pin output current
V
DD
X0.35 V
DD
X0.5 V
DD
X0.6
V
DD
X0.4
V
DD
X0.5 V
DD
X0.6
V
DD
X0.3 V
DD
X0.45 V
DD
X0.6
V
V
CTH
CT pin Threshold voltage
V
DD
X0.3
V
DD
X0.4 V
DD
X0.6
5V
V
DET
0.5V
R
L
=100k
100pF
V
DD
V
OUT
CT
GND
100pF
5V
V
DET
0.5V
R
L
=100k
V
DD
V
OUT
GND
CT
CT Capacitance [
μ
F]
d
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
0.000001
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
[BD5242G/FVE]
CT Capacitance[
μ
F]
d
μ
s
40.00
35.00
30.00
25.00
20.00
15.00
10.00
5.00
00.0001
0.0010
0.0100
0.1000
1.0000
[BD5242G/FVE]
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