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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BD242B |
| 英文描述： | PNP SILICON EPITAXIAL BASE POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 進(jìn)步黨硅外延基地功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 98K |
| 代理商： | BD242B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD242BFP | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD242 | COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORSS |
| BD242A | COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORSS |
| BD242B | COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORSS |
| BD242C | COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORSS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BD242BFI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
| BD242BFP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD242BG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 80V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD242B-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 3A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD242C | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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