參數(shù)資料
型號(hào)： BCX71K
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： PNP general purpose transistors
中文描述： PNP通用型晶體管
封裝： BCX71H<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BCX71H<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大小： 125K
代理商： BCX71K
2004 Feb 16
4
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistors
BCX71 series
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ
≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
20
20
20
UNIT
I
CBO
collector-base cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
45 V
I
E
= 0; V
CB
=
45 V; T
amb
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
4 V
I
C
=
10
μ
A; V
CE
=
5 V
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter-base cut-off current
DC current gain
BCX71H
BCX71J
BCX71K
DC current gain
BCX71H
BCX71J
BCX71K
DC current gain
BCX71H
BCX71J
BCX71K
collector-emitter saturation
voltage
30
40
100
I
C
=
2 mA; V
CE
=
5 V
180
250
380
310
460
630
I
C
=
50 mA; V
CE
=
1 V; note 1
80
100
110
60
120
600
680
600
100
650
550
720
4.5
11
2
250
550
850
1 050 mV
750
6
V
CEsat
I
C
=
10 mA; I
B
=
0.25 mA
I
C
=
50 mA; I
B
=
1.25 mA; note 1
I
C
=
10 mA; I
B
=
0.25 mA
I
C
=
50 mA; I
B
=
1.25 mA; note 1
I
C
=
2 mA; V
CE
=
5 V
I
C
=
10
μ
A; V
CE
=
5 V
I
C
=
50 mA; V
CE
=
1 V; note 1
I
E
= I
e
= 0; V
CB
=
10 V; f = 1 MHz
I
C
= I
c
= 0; V
EB
=
0.5 V; f = 1 MHz
I
C
=
10 mA; V
CE
=
5 V; f = 100 MHz
I
C
=
200
μ
A; V
CE
=
5 V; R
S
= 2 k
Ω
;
f = 1 kHz; B = 200 Hz
mV
mV
mV
V
BEsat
base-emitter saturation
voltage
V
BE
base-emitter voltage
mV
mV
mV
pF
pF
MHz
dB
C
c
C
e
f
T
F
collector capacitance
emitter capacitance
transition frequency
noise figure
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCY79 Low Noise Audio Amplifiers(硅平面外延工藝PNP晶體管(用于音頻放大器))
BD235 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD236 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD237 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD238 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCX71K /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX71K T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX71K,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX71K,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX71K/E8 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23
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