參數(shù)資料
型號(hào)： BCW60B
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Small Signal Transistors (PNP)
中文描述： 小信號(hào)晶體管（進(jìn)步黨）
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
文件大?。?/td> 40K
代理商： BCW60B
BCW61 Series
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Document Number 88171
09-May-02
www.vishay.com
3
10%
90%
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10%
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t
off
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s
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r
t
on
INPUT
OUTPUT
Fig. 1 - Switching Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCW60D Small Signal Transistors (PNP)
BCW61B PNP general purpose transistors
BCW61C PNP general purpose transistors
BCW61D PNP general purpose transistors
BCX71K PNP general purpose transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCW60B /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW60B,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW60B,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW60B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23
BCW60B/E8 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
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