- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371715 > BCW33LT1 (樂山無線電股份有限公司) General Purpose Transistors(NPN Silicon) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BCW33LT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
| 中文描述： | 通用晶體管（NPN硅） |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 458K |
| 代理商： | BCW33LT1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW34XDCSM | PTC RESETTABLE 9V .200A SMD 0805 |
| BD45XXXGSERIES | Voltage detectors |
| BD46XXXGSERIES | Triac; Triac Type:Standard; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:200V; On-State RMS Current, IT(rms):800mA; Gate Trigger Current (QI), Igt:10mA; Package/Case:3-TO-92; Current, It av:0.8A; Holding Current:15mA |
| BD47XXGSERIES | リセットIC |
| BD4F5FSLS33 | Triac; Triac Type:Standard; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On-State RMS Current, IT(rms):4A; Gate Trigger Current (QI), Igt:25mA; Package/Case:V-PAK; Current, It av:4A; Holding Current:30mA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCW33LT1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:General Purpose Transistor NPN |
| BCW33LT1D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor |
| BCW33LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 32V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW33LT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 32V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW33LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 32V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。