參數(shù)資料
型號(hào)： BCP5516
英文描述： Obsolete - alternative part: BCP5616
中文描述： 過(guò)時(shí)-替代部分：BCP5616
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
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代理商： BCP5516
SOT223 NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 3 AUGUST 1995
%
FEATURES
*
Suitable for AF drivers and output stages
*
High collector current and Low V
CE(sat)
COMPLEMENTARY TYPE
BCP52
PARTMARKING DETAILS
BCP55
BCP55 10
BCP55 16
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
60
V
Collector-Emitter Voltage
60
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Peak Pulse Current
1.5
A
Continuous Collector Current
1
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature
Range
2
W
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
60
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
60
V
I
C
= 10mA *
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=10
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
100
20
nA
μ
A
V
CB
=30V
V
CB
=30V, T
amb
=150°C
Emitter Cut-Off Current I
EBO
10
μ
A
V
EB
=5V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.5
V
I
C
=500mA, I
B
=50mA*
Base-Emitter Turn-On
Voltage
V
BE(on)
1.0
V
I
C
=500mA, V
CE
=2V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
BCP55-10
BCP55-16
40
25
63
100
100
160
250
160
250
I
C
=150mA, V
CE
=2V*
I
C
=500mA, V
CE
=2V*
I
C
=150mA, V
CE
=2V*
I
C
=150mA, V
CE
=2V*
Transition Frequency
f
T
100
MHz
I
=50mA, V
CE
=10V,
f=100MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
BCP55
C
C
E
B
3 - 17
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCP55 MEDIUM POWER AMPLIFIER
BCP55 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BCP6825 Cartridge Fuse; Current Rating:2A; Voltage Rating:250V; Fuse Type:Time Delay; Fuse Size/Group:5 x 20 mm; Body Material:Glass; Diameter:5mm; Fuse Terminals:Ferrule; Length:20mm; Series:219XA
BCP68T3 TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-223
BCP68 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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BCP55-16 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP55-16,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP55-16115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR MEDIUM POWER NPN 6
BCP5516E6327 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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