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參數(shù)資料
| 型號： | BCP55-6 |
| 英文描述： | FUSE 250V IEC SLO 5X20MM .080A |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 127K |
| 代理商： | BCP55-6 |
1
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
2
) Tested with pulses t
p
= 300 s, duty cycle 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 s, Schaltverhltnis 2%
26
01.11.2003
4
3
2
1
3
±0.1
6.5
±0.2
0.7
3.25
2.3
7
±
1.65
3
±
BCP 54, BCP 55, BCP 56
General Purpose Transistors
NPN
Surface mount Si-Epitaxial
PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren
für die Oberflchenmontage
NPN
Power dissipation – Verlustleistung
1.3 W
Plastic case
Kunststoffgehuse
SOT-223
Weight approx. – Gewicht ca.
0.04 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Mae in mm
1 = B
2, 4 = C
3 = E
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T
A
= 25 C)
Grenzwerte
(T
A
= 25 C)
BCP 55
60 V
60 V
5 V
1.3 W
1
)
1 A
1.5 A
200 mA
150 C
- 65…+ 150 C
BCP 54
45 V
45 V
BCP 56
80 V
100 V
Collector-Emitter-voltage
Collector-Base-voltage
Emitter-Base-voltage
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (DC)
Peak Collector current – Koll.-Spitzenstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Junction temp. – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
tot
I
C
I
CM
I
BM
T
j
T
S
Characteristics (T
j
= 25 C)
Kennwerte (T
j
= 25 C)
Typ.
Min.
Max.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 30 V
I
E
= 0, V
CB
= 30 V, T
j
= 125 C
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 5 V
Collector saturation volt. – Kollektor-Sttigungsspg.
2
)
I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
I
CB0
I
CB0
–
–
–
–
100 nA
10 A
I
EB0
–
–
100 nA
V
CEsat
–
–
500 mV
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCP54 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCP5616 | |
| BCP5610 | Obsolete - alternative part: BCP5616 |
| BCP56-16T3 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-261AA |
| BCP56 | MEDIUM POWER AMPLIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCP55E6327 | 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| BCP55E6327HTSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR NPN AF 60V SOT-223 |
| BCP55E6327XT | 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| BCP55H6327XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS |
| BCP55H6327XTSA1 | 功能描述:TRANS NPN 60V 1A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 |
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