參數(shù)資料
型號： BCP5210
英文描述： Obsolete - alternative part: BCP5316
中文描述： 過時-替代部分：BCP5316
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： BCP5210
SOT223 PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 3 AUGUST 1995
%
FEATURES
*
Suitable for AF drivers and output stages
*
High collector current and Low V
CE(sat)
COMPLEMENTARY TYPE
BCP55
PARTMARKING DETAILS
BCP52
BCP52 10
BCP52 16
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
-60
V
Collector-Emitter Voltage
-60
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Peak Pulse Current
-1.5
A
Continuous Collector Current
-1
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature
Range
2
W
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-60
V
I
C
=-100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-60
V
I
C
=- 10mA *
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-10
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-100
-20
nA
μ
A
V
CB
=-30V
V
CB
=-30V, T
amb
=150°C
Emitter Cut-Off Current I
EBO
-10
μ
A
V
EB
=-5V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.5
V
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA*
Base-Emitter Turn-On
Voltage
V
BE(on)
-1.0
V
I
C
=-500mA, V
CE
=-2V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
BCP52-10
BCP52-16
40
25
63
100
100
160
250
160
250
I
C
=-150mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-500mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-150mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-150mA, V
CE
=-2V*
Transition Frequency
f
T
125
MHz
I
=-50mA, V
CE
=-10V,
f=100MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
BCP52
C
C
E
B
3 - 14
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCP5216 Obsolete - alternative part: BCP5316
BCP52 MEDIUM POWER AMPLIFIER
BCP52 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BCP53-16T1 TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SOT-223
BCP5310 FUSE 250V IECFA LBC5X20 .100A
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參數(shù)描述
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BCP52-10 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP52-10,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP52-10E6327 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
BCP5210E6327XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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