參數(shù)資料
型號： BC869
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 20 V, 2 A PNP medium power transistors
中文描述： 20伏，2安PNP型中等功率晶體管
封裝： BC69-16PA<SOT1061 (HUSON3)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1<Always Pb-free,;BC69-25PA<SOT1061 (HUSON3)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1<Alwa
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代理商： BC869
BCP69_BC869_BC69PA
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 7 — 12 October 2011
5 of 24
NXP Semiconductors
BCP69; BC869; BC69PA
20 V, 2 A PNP medium power transistors
(1) FR4 PCB, mounting pad for collector 6 cm
2
(2) FR4 PCB, mounting pad for collector 1 cm
2
(3) FR4 PCB, standard footprint
(1) FR4 PCB, mounting pad for collector 6 cm
2
(2) FR4 PCB, mounting pad for collector 1 cm
2
(3) FR4 PCB, standard footprint
Fig 1.
Power derating curves SOT223
Fig 2.
Power derating curves SOT89
(1) FR4 PCB, 4-layer copper, mounting pad for collector 1 cm
2
(2) FR4 PCB, single-sided copper, mounting pad for collector 6 cm
2
(3) FR4 PCB, single-sided copper, mounting pad for collector 1 cm
2
(4) FR4 PCB, 4-layer copper, standard footprint
(5) FR4 PCB, single-sided copper, standard footprint
Fig 3.
Power derating curves SOT1061
T
amb
(°C)
–75
175
125
25
75
–25
006aac674
0.5
1.0
1.5
P
tot
(W)
0.0
(1)
(2)
(3)
T
amb
(°C)
–75
175
125
25
75
–25
006aac675
0.5
1.0
1.5
P
tot
(W)
0.0
(1)
(2)
(3)
T
amb
(°C)
–75
175
125
25
75
–25
006aac676
1.0
0.5
1.5
2.0
P
tot
(W)
0.0
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCP69-16 20 V, 2 A PNP medium power transistors
BC807 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
BC808-40W Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC807-16W SH2 Series, 7086 Group, Two ADC circuits, 6-ch 16-bit MTU2, 3-ch 16-bit MTU2S, Port Output Enable, 2-ch CMT, UBC, 5v IO, 15 mA IO TFP-100B; Vcc= 3.0 to 5.5 volts, Temp= -20 to 85 C; Package: PTQP0100KA-A
BC807-25W Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC869 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC869,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC869,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC869 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-89
BC869/T1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR SMALL-SIGNAL SOT-23
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