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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BC868 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 20 V, 2A NPN medium power transistors |
| 中文描述： | 20伏，2安NPN型中等功率晶體管 |
| 封裝： | BC68-25PA<SOT1061 (HUSON3)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1<Always Pb-free,;BC68PA<SOT1061 (HUSON3)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1<Always |
| 文件頁數(shù)： | 14/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 1176K |
| 代理商： | BC868 |
BCP68_BC868_BC68PA
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 8 — 18 October 2011
14 of 23
NXP Semiconductors
BCP68; BC868; BC68PA
20 V, 2 A NPN medium power transistors
V
CE
= 1 V
(1) T
amb
= 100
C
(2) T
amb
= 25
C
(3) T
amb
=
55
C
Fig 15. DC current gain as a function of collector
current; typical values
T
amb
= 25
C
Fig 16. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= 1 V
(1) T
amb
=
55
C
(2) T
amb
= 25
C
(3) T
amb
= 100
C
Fig 17. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 100
C
(2) T
amb
= 25
C
(3) T
amb
=
55
C
Fig 18. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
006aac694
200
100
300
400
h
FE
0
10
–4
I
C
(A)
10
1
10
–3
10
–1
10
–2
(1)
(2)
(3)
V
CE
(V)
0
5
4
2
3
1
006aac710
0.8
1.6
2.4
I
C
(A)
0.0
I
B
(mA) = 10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
006aac695
0.4
0.8
1.2
BE
(V)
0
10
–1
I
C
(A)
10
4
10
3
1
10
2
10
(1)
(2)
(3)
006aac696
10
–1
10
–2
1
V
CEsat
(V)
10
–3
I
C
(mA)
10
–1
10
4
10
3
1
10
2
10
(1)
(2)
(3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC69-16PA | 20 V, 2 A PNP medium power transistors |
| BC69-25PA | 20 V, 2 A PNP medium power transistors |
| BC69PA | 20 V, 2 A PNP medium power transistors |
| BC869 | 20 V, 2 A PNP medium power transistors |
| BCP69-16 | 20 V, 2 A PNP medium power transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC868 T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 20V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
| BC868,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC868/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR SOT-89 |
| BC868-10 | 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:0.5W NPN Medium Power Transistors |
| BC868115 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
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