參數(shù)資料
型號(hào)： BC858AF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP general purpose transistors
中文描述： 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-89, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 40K
代理商： BC858AF
1999 May 21
2
Philips Semiconductors
Preliminary specification
PNP general purpose transistors
BC856F; BC857F; BC858F series
FEATURES
Power dissipation comparable to SOT23
Low current (max. 100 mA)
Low voltage (max. 65 V).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification especially
in portable equipment.
DESCRIPTION
PNP transistor encapsulated in an ultra small SC-89
(SOT490) plastic SMD package.
NPN complements: BC846F, BC847F and BC848F series.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
Fig.1
Simplified outline (SC-89; SOT490) and
symbol.
handbook, halfpage
MAM411
1
2
3
1
Top view
2
3
MARKING
TYPE
NUMBER
MARKING
CODE
TYPE
NUMBER
MARKING
CODE
BC856AF
BC856BF
BC857AF
BC857BF
3A
3B
3E
3F
BC857CF
BC858AF
BC858BF
BC858CF
3G
3J
3K
3L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC858BF PNP general purpose transistors
BC858CF PNP general purpose transistors
BC857CF High Speed CMOS Logic Dual 4-Stage Binary Counter 14-SOIC -55 to 125
BC856AF High Speed CMOS Logic 4-Bit Binary Full Adder with Fast Carry 16-PDIP -55 to 125
BC856F High Speed CMOS Logic Quad Two-Input OR Gates 14-SOIC -55 to 125
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC858A-GS08 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Switching/AF Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC858A-HF 功能描述:TRANS PNP 30V 100MA SOT23 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:125 @ 2.2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
BC858ALT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC858ALT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC858AMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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