參數(shù)資料
型號： BC857CM
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP general purpose transistors
中文描述： PNP通用型晶體管
封裝： BC857AM<SOT883 (SOT883)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT883.html<1<Always Pb-free,;BC857BM<SOT883 (SOT883)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT883.html<1<Always Pb-fr
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代理商： BC857CM
2004 Mar 10
6
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistors
BC857M series
GRAPHICAL INFORMATION BC857BM
handbook, halfpage
hFE
0
10
2
200
400
600
800
MLE192
10
1
(1)
1
IC (mA)
10
10
2
10
3
(2)
(3)
Fig.6 DC current gain; typical values.
V
CE
=
5 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
(mV)
200
400
600
800
1000
MLE193
10
2
10
1
(1)
1
IC (mA)
10
10
2
10
3
(3)
(2)
Fig.7
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
=
5 V.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
handbook, halfpage
4
10
3
10
2
10
10
1
MLE194
1
10
IC (mA)
VCEsat
(mV)
10
2
10
3
(2)
(3)
(1)
Fig.8
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
(mV)
200
400
600
800
1000
MLE195
1
10
1
IC (mA)
10
10
2
10
3
(1)
(3)
(2)
Fig.9
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
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PDF描述
BC858UF PNP Silicon Transistor (General purpose application Switching application)
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