參數(shù)資料
型號： BC856B
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 100 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 186K
代理商： BC856B
1
) Tested with pulses t
p
= 300 s, duty cycle 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 s, Schaltverhltnis 2%
2
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
01.11.2003
15
General Purpose Transistors
BC 856 ... BC 860
Characteristics (T
j
= 25 C)
Kennwerte (T
j
= 25 C)
Typ.
Min.
Max.
Collector saturation volt. – Kollektor-Sttigungsspannung
1
)
- I
C
= 10 mA, - I
B
= 0.5 mA
- I
C
= 100 mA, - I
B
= 5 mA
Base saturation voltage – Basis-Sttigungsspannung
1
)
- I
C
= 10 mA, - I
B
= 0.5 mA
- I
C
= 100 mA, - I
B
= 5 mA
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung
1
)
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 2 mA
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 10 mA
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
I
E
= 0, - V
CB
= 30 V
I
E
= 0, - V
CB
= 30 V, T
j
= 150 C
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
I
C
= 0, - V
EB
= 5 V
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 10 mA, f = 100 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazitt
- V
CB
= 10 V, I
E
= i
e
= 0, f = 1 MHz
Noise figure – Rauschzahl
-V
CEsat
-V
CEsat
–
–
90 mV
200 mV
250 mV
600 mV
- V
BEsat
- V
BEsat
–
–
700 mV
900 mV
–
–
- V
BEon
- V
BEon
600 mV
–
650 mV
–
750 mV
820 mV
- I
CB0
- I
CB0
–
–
–
–
15 nA
5 A
- I
EB0
–
–
100 nA
f
T
100 MHz
–
–
C
CB0
–
–
6 pF
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 200 A
R
G
= 2 k , f = 1 kHz,
f = 200 Hz
BC 856...
BC 858
F
–
2 dB
10 dB
BC 859/860
F
–
1 dB
4 dB
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 200 A
R
G
= 2 k , f = 30...15 kHz
BC 859
BC 860
F
F
–
–
1.2 dB
1.2 dB
4 dB
4 dB
Equivalent noise voltage – quivalente Rauschspannung
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 200 A
R
G
= 2 k , f = 10 ... 50 Hz
Thermal resistance junction to ambient air
Wrmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementre NPN-Transistoren
BC 860
u
F
–
–
0.11 V
R
thA
420 K/W
2
)
BC 846 ... BC 850
Marking of available current gain
groups per type
Stempelung der lieferbaren Strom-
verstrkungsgruppen pro Typ
BC 856A = 3A
BC 857A = 3E
BC 858A = 3J
BC 856B = 3B
BC 857B = 3F
BC 858B = 3K
BC 859B = 4B
BC 860B = 4F
BC 857C = 3G
BC 858C = 3L
BC 859C = 4C
BC 860C = 4G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC859B Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC857C High Speed CMOS Logic Dual Decade Ripple Counter 16-SOIC -55 to 125
BC858C High Speed CMOS Logic 7-Stage Binary Ripple Counter 14-SOIC -55 to 125
BC856A PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC856B High Speed CMOS Logic 8-Bit Universal Shift Register with 3-State Outputs 20-SOIC -55 to 125
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC856B /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856B _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BC856B RF 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SOT-23
BC856B RFG 功能描述:TRANSISTOR, PNP, -65V, -0.1A, 22 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000
BC856B T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin TO-236AB T/R
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