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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BC848T |
| 英文描述： | NPN general purpose transistors |
| 中文描述： | NPN通用型晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 89K |
| 代理商： | BC848T |
BC848BW / BC848B / BC848C
Transistors
!
Packaging specifications
2/5
BC848BW
UMT3
G1K
T106
3000
BC848B
SST3
G1K
T116
3000
BC848C
SST3
G1L
T116
3000
Part No.
Packaging type
Marking
Code
Basic ordering unit (pieces)
!
Electrical characteristic curves
0
80
60
40
20
100
2.0
0
1.0
I
B
=
0mA
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Ta
=
25
°
C
I
C
C
V
CE
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)
Fig.1 Grounded emitter output
characteristics ( )
0
8.0
6.0
4.0
2.0
10.0
2.0
0
1.0
I
B
=
0
μ
A
5
10
15
20
25
30
35
Ta
=
25
°
C
I
C
-
V
CE
-COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)
Fig.2 Grounded emitter output
characteristics ( )
Ta
=
25
°
C
0.1
10
1.0
100
1000
100
1000
10
h
F
-
I
C
-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.3 DC current gain vs. collector current ( )
V
CE
=
10V
1V
5V
V
CE
=5V
0.1
10
1.0
100
1000
100
1000
10
h
F
-
I
C
-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.4 DC current gain vs. collector current ( )
Ta
=
125
°
C
Ta
=
25
°
C
Ta
=
55
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC848C-MR | TRANSISTOR BC848C MINIREEL 500PCS |
| BC848CT116 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346 |
| BC848 | SOT23 NPN SILICON PLANAR |
| BC848A-1JZ | SOT23 NPN SILICON PLANAR |
| BC848B-1K | SOT23 NPN SILICON PLANAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC848-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.1A 30V LN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC848W | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SC-70 |
| BC848W /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC848W T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC848W,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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