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參數(shù)資料
| 型號： | BC848-C-AE3-R |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
| 中文描述： | 開關(guān)和放大器應(yīng)用 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 63K |
| 代理商： | BC848-C-AE3-R |
BC846-BC850
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
QW-R206-027,C
4 of 4
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC848-C-AL3-R | SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
| BC848L-A-AE3-R | SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
| BC848L-A-AL3-R | SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
| BC848L-B-AE3-R | SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
| BC848L-B-AL3-R | SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC848CB6327XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
| BC848CDW1T1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC848CDW1T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC848CDXV6T1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC848CDXV6T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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