型號: | BC847CWT1 |
元件分類: | 開關 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件頁數: | 6/7頁 |
文件大小: | 525K |
代理商: | BC847CWT1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BC848CWT1 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
BC858CWT1 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
B340L | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
BCR3KM-12 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
BCR6 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BC847CWT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC847CWT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT GENRL TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC847CW-TP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC847DG | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors |
BC847DS | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT457 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 45V, 100MA, SOT457 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 45V, 100MA, SOT457; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Min:-55C; Operating ;RoHS Compliant: Yes |