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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BC817L-40-AE3-R |
| 廠(chǎng)商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
| 中文描述： | 1500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | BC817L-40-AE3-R |
BC817
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
2
QW-R206-025.B
ABS OLUT E MAX IMUM RAT ING
(Ta=25
°
C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
V
CEO
V
CES
V
EBO
I
C
RATINGS
45
50
5.0
1.5
350
2.8
150
-40 ~ +150
UNIT
V
V
V
A
mW
mW/
°
C
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Power Dissipation
Derate above 25
°
C
Junction Temperature
Storage Temperature
Note 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
2. The device is guaranteed to meet performance specification within 0
and assured by design from –20
~+85
.
P
D
T
J
T
STG
~+70
operating temperature range
T HERMAL CHARACT ERIS T ICS
(Ta=25
°
C, unless otherwise specified)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
θ
JA
RATING (Note)
350
UNIT
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Note: Device mounted on FR-4 PCB 40mm×40mm×1.5mm.
ELECT RICAL CHARACT ERIS T ICS
(Ta=25
°
C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN TYP MAX UNIT
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector-Base Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
V
(BR)CES
V
(BR)EBO
I
C
=10mA, I
B
=0
I
C
=100
μ
A,I
E
=0
I
E
=10
μ
A, Ic=0
V
CB
=20V
V
CB
=20V,T
a
=150
°
C
45
50
5
V
V
V
nA
μ
A
Collector-Cutoff Current
I
CBO
100
5
ON CHARACTERISTICS
h
FE1
*
h
FE2
V
CE(SAT)
V
BE(ON)
Ic=100mA,V
CE
=1.0V See Classification
Ic=500mA, V
CE
=1.0V
Ic=500mA,I
B
=50Ma
Ic=500mA, V
CE
=1.0V
DC Current Gain
40
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
0.7
1.2
V
V
CLAS S IFICAT ION OF hFE1*
RANK
RANGE
BC817-16
100-250
BC817-25
160-400
BC817-40
250-600
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCP69-16-AA3-B-R | NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
| BCP69-16-AA3-C-R | NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
| BCP69-16-AA3-E-R | NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
| BCP69-25-AA3-B-R | NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
| BCP69-25-AA3-C-R | NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC817L-X-AE3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱(chēng):UTC-IC 功能描述:NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
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| BC817RAZ | 功能描述:BC817RA/SOT1268/DFN1412-6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:2 PNP（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:DFN1412-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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