參數(shù)資料
型號： BC817
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
中文描述： 45伏，500毫安NPN型通用晶體管
封裝： BC817<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BC817<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BC
文件頁數(shù)： 7/19頁
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代理商： BC817
BC817_BC817W_BC337_6
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 06 — 17 November 2009
7 of 19
NXP Semiconductors
BC817; BC817W; BC337
45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
=
55
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 150
°
C
Fig 4.
Selection -16: Base-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
=
55
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 150
°
C
Fig 5.
Selection -25: Base-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
=
55
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 150
°
C
Fig 6.
Selection -40: Base-emitter saturation voltage as a function of collector current; typical values
006aaa134
I
C
(mA)
10
1
10
3
10
2
1
10
1
10
V
BEsat
(V)
10
1
(1)
(2)
(3)
006aaa135
I
C
(mA)
10
1
10
3
10
2
1
10
1
10
V
BEsat
(V)
10
1
(1)
(2)
(3)
006aaa136
I
C
(mA)
10
1
10
3
10
2
1
10
1
10
V
BEsat
(V)
10
1
(1)
(2)
(3)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC818F NPN Silicon Transistor (High current application Switching application)
BC846BPN 65 V, 100 mA NPN-PNP general-purpose transistor
BC846BS 65 V, 100 mA NPN-NPN general-purpose transistor
BC846DS 65 V, 100 mA NPN-NPN general-purpose transistor
BC846S High Speed CMOS Logic 8-Input Multiplexer 16-SOIC -55 to 125
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC817 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC817,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC817,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC817 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23
BC817.16 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA
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