參數(shù)資料
型號(hào)： BC69-16PA
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 20 V, 2 A PNP medium power transistors
中文描述： 20伏，2安PNP型中等功率晶體管
封裝： BC69-16PA<SOT1061 (HUSON3)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1<Always Pb-free,;BC69-25PA<SOT1061 (HUSON3)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1<Alwa
文件頁(yè)數(shù)： 4/24頁(yè)
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代理商： BC69-16PA
BCP69_BC869_BC69PA
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 7 — 12 October 2011
4 of 24
NXP Semiconductors
BCP69; BC869; BC69PA
20 V, 2 A PNP medium power transistors
5. Limiting values
Table 6.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
CBO
collector-base voltage
V
CEO
collector-emitter voltage
V
EBO
emitter-base voltage
I
C
collector current
I
CM
peak collector current
[1]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
[2]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 1 cm
2
.
[3]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 6 cm
2
.
[4]
Device mounted on an FR4 PCB, 4-layer copper, tin-plated and standard footprint.
[5]
Device mounted on an FR4 PCB, 4-layer copper, tin-plated, mounting pad for collector 1 cm
2
.
Limiting values
Conditions
open emitter
open base
open collector
Min
-
-
-
-
-
Max
32
20
5
2
3
Unit
V
V
V
A
A
single pulse;
t
p
1 ms
I
B
I
BM
base current
peak base current
-
-
0.4
0.4
A
A
single pulse;
t
p
1 ms
T
amb
25
C
P
tot
total power dissipation
BCP69
[1]
-
0.65
1.00
1.35
0.50
0.95
1.35
0.42
0.83
1.10
0.81
1.65
150
+150
+150
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
C
C
C
[2]
-
[3]
-
BC869
[1]
-
[2]
-
[3]
-
BC69PA
[1]
-
[2]
-
[3]
-
[4]
-
[5]
-
T
j
T
amb
T
stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
55
65
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC69-25PA 20 V, 2 A PNP medium power transistors
BC69PA 20 V, 2 A PNP medium power transistors
BC869 20 V, 2 A PNP medium power transistors
BCP69-16 20 V, 2 A PNP medium power transistors
BC807 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC69-16PA,115 功能描述:MOSFET 20 V, 2 A PNP medium power transistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BC69-16PASX 功能描述:IC TRANS PNP 2A 20V SOT1061 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:85 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:420mW 頻率 - 躍遷:140MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，無(wú)引線 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020D-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BC69-25PA 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, PNP, 20V, 2A, SOT1061 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, PNP, 20V, 2A, SOT1061; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-20V; Transition Frequency Typ ft:140MHz; Power Dissipation Pd:1.65W; DC Collector Current:-2A; DC Current Gain hFE:160; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BC69-25PA,115 功能描述:MOSFET 20 V, 2 A PNP medium power transistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BC69-25PASX 功能描述:IC TRANS PNP 2A 20V SOT1061 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:85 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:420mW 頻率 - 躍遷:140MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，無(wú)引線 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020D-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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