參數(shù)資料
型號： BC368-25
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 20V的五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至92
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 43K
代理商： BC368-25
1999 Apr 26
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN medium power transistor
BC368
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
150
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
= 25 V
I
E
= 0; V
CB
= 25 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 5 mA; V
CE
= 10 V
I
C
= 500 mA; V
CE
= 1 V; see Fig.2
I
C
= 1 A; V
CE
= 1 V; see Fig.2
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA
I
C
= 5 mA; V
CE
= 10 V
I
C
= 1 A; V
CE
= 1 V
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V; f = 100 MHz
I
C
= 500 mA;
V
CE
= 1 V
50
85
60
40
100
10
100
375
500
700
1
1.6
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
V
CEsat
V
BE
collector-emitter saturation voltage
base-emitter voltage
mV
mV
V
MHz
f
T
h
h
FE2
transition frequency
DC current gain ratio of the
complementary pairs
-----------
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