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參數(shù)資料
| 型號： | BAV70-GS08 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | BAV70-V Small Signal Switching Diode, Dual |
| 中文描述： | Diodes (General Purpose, Power, Switching) 70 Volt 250mA |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | BAV70-GS08 |
BAV70
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Rev. 2.0, 16-May-13
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DiodesAsia@vishay.com
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DiodesEurope@vishay.com
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www.vishay.com/doc91000
1
Document Number: 85546
Small Signal Switching Diode, Dual
MECHANICAL DATA
Case:
SOT-23
Weight:
approx. 8.8 mg
Packaging codes/options:
18/10K per 13" reel (8 mm tape), 10K/box
08/3K per 7" reel (8 mm tape), 15K/box
FEATURES
Silicon Epitaxial Planar Diode
Fast switching dual diode with common cathode
AEC-Q101 qualified
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial
grade
Base P/N-HE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101
qualified
Material categorization: For definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc99912
Note
(1)
Device on fiberglass substrate
Note
(1)
Device on fiberglass substrate
18108
1
2
3
PARTS TABLE
PART
ORDERING CODE
BAV70-E3-08 or BAV70-E3-18
BAV70-HE3-08 or BAV70-HE3-18
INTERNAL CONSTRUCTION
TYPE MARKING
REMARKS
BAV70
Dual diodes common cathode
JJ
Tape and reel
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Peak reverse voltage
Reverse voltage
Forward current (continuous)
TEST CONDITION
SYMBOL
V
RRM
V
R
I
F
I
FSM
I
FSM
I
FSM
P
tot
VALUE
70
70
250
2
1
0.5
350
UNIT
V
V
mA
A
A
A
mW
Non repetitive peak forward current
t
p
= 1 μs
t
p
= 1 ms
t
p
= 1 s
Power dissipation
(1)
THERMAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Thermal resistance junction to ambient air
(1)
Junction temperature
Storage temperature range
Operating temperature range
TEST CONDITION
SYMBOL
R
thJA
T
j
T
stg
T
op
VALUE
430
150
- 65 to + 150
- 55 to + 150
UNIT
K/W
°C
°C
°C
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PDF描述 |
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