參數(shù)資料
型號(hào)： BAT85S
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Schottky Barrier Diode
中文描述： 肖特基勢(shì)壘二極管
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 39K
代理商： BAT85S
BAT85S
Vishay Telefunken
Rev. 3, 01-Apr-99
2 (4)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85513
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=0.1mA
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=30mA
I
F
=100mA
V
R
=25V
V
R
=1V, f=1MHz
Type
Symbol
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
I
R
C
D
Min
Typ
Max
240
320
400
500
800
2
10
Unit
mV
mV
mV
mV
mV
A
pF
Reverse current
Diode capacitance
Characteristics
(T
j
= 25 C unless otherwise specified)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
25
50
T
j
– Junction Temperature (
°
C )
75
100
125
150
15822
V
R
= 30 V
P
R
540K/W
P
R
–Limit
@100%V
R
P
R
–Limit
@80%V
R
R
thJA
=
Figure 1. Max. Reverse Power Dissipation vs.
Junction Temperature
1
10
100
1000
25
50
T
j
– Junction Temperature (
°
C )
75
100
125
150
15823
V
R
= V
RRM
I
R
Figure 2. Reverse Current vs. Junction Temperature
0
0.5
1.0
1.5
I
V
F
– Forward Voltage ( V )
15824
F
T
j
=25
°
C
T
j
=150
°
C
0.1
1
10
100
1000
Figure 3. Forward Current vs. Forward Voltage
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
1.0
10.0
100.0
V
R
– Reverse Voltage ( V )
15825
C
D
f=1MHz
Figure 4. Diode Capacitance vs. Reverse Voltage
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PDF描述
BAT85S Schottky Barrier Diode(反向電壓30V的肖特基勢(shì)壘二極管)
BAT85 Schottky Diodes
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