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參數(shù)資料
| 型號： | BAT54S-V-GS18 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Diode Schottky 30V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
| 中文描述： | Schottky (Diodes & Rectifiers) 30 Volt 200mA Dual Series |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | BAT54S-V-GS18 |
BAT54, BAT54A, BAT54C, BAT54S
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
Rev. 1.9, 25-Feb-13
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2
Document Number: 85508
LAYOUT FOR R
thJA
TEST
Thickness:
Fiberglas 15 mm (0.059")
Copper leads 0.3 mm (0.012")
TYPICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
Fig. 1 -
Typical Forward Voltage Forward Current vs.
Various Temperatures
Fig. 2 - Diode Capacitance vs. Reverse Voltage V
R
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Reserve breakdown voltage
Pulsed test t
p
< 300 μs,
<2 % at
TEST CONDITION
I
R
= 100 μA (pulsed)
SYMBOL
V
(BR)
MIN.
30
TYP.
MAX.
UNIT
V
Leakage current
V
R
= 25 V
I
R
2
μA
Forward voltage
I
F
= 0.1 mA, t
p
< 300 μs,
< 2 %
I
F
= 1 mA, t
p
< 300 μs,
< 2 %
I
F
= 10 mA, t
p
< 300 μs,
< 2 %
I
F
= 30 mA, t
p
< 300 μs,
< 2 %
I
F
= 100 mA, t
p
< 300 μs,
< 2 %
V
R
= 1 V, f = 1 MHz
I
F
= 10 mA to I
R
= 10 mA,
i
R
= 1 mA, R
L
= 100
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
D
240
320
400
500
800
10
mV
mV
mV
mV
mV
pF
Diode capacitance
Reserve recovery time
t
rr
5
ns
17451
15 (0.59)
12 (0.47)
0.8 (0.03)
5 (0.2)
7.5 (0.3)
3 (0.12)
1 (0.4)
1 (0.4)
2 (0.8)
2 (0.8)
1.5 (0.06)
5.1 (0.2)
18867
1000
100
10
1
0.1
0.01
I
w
a
u
r
F
0
0.4
0.6
1.2
1.4
0.8
1
0.2
V
F
- For
w
ard
V
oltage (
V
)
= 125 °C
T
j
25 °C
- 40 °C
18868
10
14
12
2
4
0
0
4
12
16
20
24
28
C
D
V
R
- Re
v
erse
V
oltage (
V
)
6
8
8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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