參數(shù)資料
型號： BAT54-02V-GS08
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Schottky Diode in SOD-523
中文描述： 肖特基二極管中的SOD - 523
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 88K
代理商： BAT54-02V-GS08
www.vishay.com
2
Document Number 85633
Rev. 1.2, 27-Apr-04
VISHAY
BAT54-02V
Vishay Semiconductors
Thermal Characteristics
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Junction soldering point
Electrical Characteristics
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Reverse Breakdown voltage
Typical Characteristics
(T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified)
Test condition
Symbol
R
thJS
T
j
T
S
Value
100
Unit
K/W
Junction temperature
125
°C
Storage temperature range
- 65 to + 150
°C
Test condition
Symbol
V
(BR)
Min
30
Typ.
Max
Unit
V
μ
A
100
μ
A pulses
Pulse test t
p
< 300
μ
s,
δ
< 2 % at
V
R
= 25 V
I
F
= 0.1 mA, t
p
< 300
μ
s,
δ
< 2 %
I
F
= 1 mA, t
p
< 300
μ
s,
δ
< 2 %
I
F
= 10 mA, t
p
< 300
μ
s,
δ
< 2 %
I
F
= 30 mA, t
p
< 300
μ
s,
δ
< 2 %
I
F
= 100 mA, t
p
< 300
μ
s,
δ
< 2 %
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
I
F
= 10 mA , I
R
= 10 mA to
I
R
= 1 mA, R
L
= 100
Leakage current
2
Forward voltage
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
tot
t
rr
240
mV
320
mV
400
mV
500
mV
1000
mV
Diode capacitance
12
pF
Reverse recovery time
5
ns
Fig. 1 Typical Forward Voltage Forward Current at Various
Temperatures
gbat54-ht3_01
°
C
25
°
C
= 125
T
j
°
C
40
1000
100
10
1
0.1
0.01
1.2
1.4
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
F
i
V
F
in V
Fig. 2 Typical Variation of Reverse Current at Various
Temperatures
gbat54-ht3_02
°
C
= 125
T
j
°
C
100
°
C
75
°
C
50
°
C
25
1000
100
10
1
0.1
0.01
I
i
A
μ
R
0
5
10
15
20
30
25
V
R
in V
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PDF描述
BAT54-02V-GS18 Schottky Diode in SOD-523
BAT54-AE3-R SCHOTTKY BARRIER (DUAL) DIODES
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