參數(shù)資料
型號: BAT42W-V-GS18
廠商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Diode Small Signal Schottky 30V 0.2A 2-Pin SOD-123 T/R
中文描述: Schottky (Diodes & Rectifiers) 30 Volt 200mA 4.0 Amp IFSM
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大小: 75K
代理商: BAT42W-V-GS18
BAT42W, BAT43W
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
Rev. 1.8, 25-Feb-13
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2
Document Number: 85661
Note
(1)
Pulse test; t
p
300 μs, t
p
/T < 0.02
TYPICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
Fig. 1 -
Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Fig. 2 -
Typical Forward Characteristics
Fig. 3 -
Typical Reverse Characteristics
Fig. 4 -
Typical Capacitance vs. Reverse Voltage
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
Reverse breakdown voltage
I
R
= 100 μA (pulsed)
V
R
= 25 V
V
R
= 25 V, T
j
= 100 °C
I
F
= 200 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 50 mA
I
F
= 2 mA
I
F
= 15 mA
Diode capacitance
V
R
= 1 V, f = 1 MHz
I
F
= 10 mA, I
R
= 10 mA,
i
R
= 1 mA, R
L
= 100
PART
SYMBOL
V
(BR)
I
R
I
R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
D
MIN.
30
TYP.
MAX.
UNIT
V
μA
μA
mV
mV
mV
mV
mV
pF
Leakage current
(1)
0.5
100
1000
400
650
330
450
Forward voltage
(1)
BAT42W
BAT42W
BAT43W
BAT43W
260
7
Reverse recovery time
t
rr
5
ns
200
18442
T
am
b
- Am
b
ient Temperat
u
re (°C)
250
200
150
100
50
50
100
150
0
0
P
t
w
e
18443
1200
1000
800
600
400
200
0
I
w
a
u
r
F
1000
100
10
1
0.1
0.01
V
F
- Instantaneo
u
s For
w
ard
V
oltage (m
V
)
25 °C
125 °C
- 40 °C
1000
100
10
1
0.1
0.01
18444
0
10
V
R
- Re
v
erse
V
oltage (
V
)
20
30
40
50
125 °C
100 °C
75 °C
50 °C
25 °C
I
v
e
u
r
R
18445
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
V
R
- Re
v
erse
V
oltage (
V
)
C
D
5
15
25
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PDF描述
BAT42W Schottky Diodes
BAT42W-7 SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
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