參數(shù)資料
型號： BAS16-GS08
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Diode Small Signal Switching 75V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
中文描述： Diodes (General Purpose, Power, Switching) 75 Volt Fast Switch
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： BAS16-GS08
BAS16
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Rev. 1.7, 15-May-13
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1
Document Number: 85539
Small Signal Fast Switching Diode
MECHANICAL DATA
Case:
SOT-23
Weight:
approx. 8.8 mg
Packaging codes/options:
18/10K per 13
"
reel (8 mm tape), 10K/box
08/3K per 7
"
reel (8 mm tape), 15K/box
FEATURES
Silicon epitaxial planar diode
Ultra fast switching speed
Surface mount package ideally suited for
automatic insertion
High conductance
AEC-Q101 qualified
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade
Base P/N-HE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified
Material categorization: For definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc99912
1
2
3
PARTS TABLE
PART
ORDERING CODE
BAS16-E3-08 or BAS16-E3-18
BAS16-HE3-08 or BAS16-HE3-18
INTERNAL CONSTRUCTION
TYPE MARKING
REMARKS
BAS16
Single diode
B6
Tape and reel
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Non repetitive peak reverse voltage
Repetitive peak reverse voltage
= working peak reverse voltage
= DC blocking voltage
TEST CONDITION
SYMBOL
V
RM
VALUE
100
UNIT
V
V
RRM
= V
RWM
= V
R
75
V
Peak forward surge current
t
p
= 1 s
t
p
= 1 μs
I
FSM
I
FSM
1
2
A
A
Average forward current
Half wave rectification with resistive load and
f
50 MHz, on ceramic substrate
8 mm x 10 mm x 0.7 mm
On ceramic substrate
8 mm x 10 mm x 0.7 mm
On ceramic substrate
8 mm x 10 mm x 0.7 mm
I
F(AV)
150
mA
Forward current
I
F
300
mA
Power dissipation
P
tot
350
mW
THERMAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
On ceramic substrate
8 mm x 10 mm x 0.7 mm
SYMBOL
VALUE
UNIT
Junction ambient
R
thJA
357
K/W
Junction and storage temperature range
Operating temperature range
T
j
= T
stg
T
op
- 55 to + 150
- 55 to + 150
°C
°C
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PDF描述
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參數(shù)描述
BAS16GWJ 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD123 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:215mA（DC） 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:1.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123 供應(yīng)商器件封裝:SOD-123 工作溫度 - 結(jié):150°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BAS16GWX 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD123 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:215mA（DC） 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:1.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123 供應(yīng)商器件封裝:SOD-123 工作溫度 - 結(jié):150°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BAS16H 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SWITCH 100V 0.215A SOD123F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SWITCH, 100V, 0.215A, SOD123F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SWITCH, 100V, 0.215A, SOD123F; Diode Type:Ultrafast Recovery; Forward Current If(AV):215mA; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:100V; Forward Voltage VF Max:1.25V; Reverse Recovery Time trr Max:4ns; Diode Case Style:SOD-123F ;RoHS Compliant: Yes
BAS16H T/R 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) HI SPEED SWITCHING DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAS16H,115 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) HI SPEED SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
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