參數資料
型號： BAQ133
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon Planar Diodes
中文描述： 硅平面二極管
文件頁數： 1/3頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： BAQ133
BAQ133...BAQ135
Vishay Telefunken
Rev. 2, 01-Apr-99
1 (3)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85536
Silicon Planar Diodes
Features
Very low reverse current
Applications
Protection circuits, time delay circuits, peak follower
circuits, logarithmic amplifiers
96 12009
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Reverse voltage
Test Conditions
Type
BAQ133
BAQ134
BAQ135
Symbol
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
F
T
j
T
stg
Value
30
60
125
2
200
200
–65...+200
Unit
V
V
V
A
mA
C
C
Peak forward surge current
Forward current
Junction temperature
Storage temperature range
t
p
=1 s
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
500
Unit
K/W
on PC board 50mmx50mmx1.6mm
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Test Conditions
I
F
=100mA
E
300lx, V
R
E
300lx, V
R
, T
j
=125 C
E
300lx, V
R
=15V
E
300lx, V
R
=30V
E
300lx, V
R
=60V
I
=5 A, t
p
/T=0.01, t
p
=0.3ms
R
Type
Symbol
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
V
(BR)
V
(BR)
V
(BR)
C
D
Min
Typ
Max
1
3
0.5
1
1
1
Unit
V
nA
A
nA
nA
nA
V
V
V
pF
1
BAQ133
BAQ134
BAQ135
BAQ133
BAQ134
BAQ135
0.5
0.5
0.5
Breakdown voltage
40
70
140
Diode capacitance
V
R
=0, f=1MHz
3
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