BUK6507-55C,127

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型號
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封裝
批號
價格
說明
操作

BUK6507-55C,127
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
TO-220AB
18+
-
MOSFET N-CH 55V 100A...

BUK6507-55C,127
深圳市企諾德電子有限公司
深圳市企諾德電子有限公司
聯(lián)系人：胡
電話：13480313979
地址：深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
15000
NXP
N/A
22+
-
原裝正品專業(yè)BOM配單

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功能描述
MOSFET N-CHAN 55V 100A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BUK6507-55C,127 技術(shù)參數(shù)

BUK626R2-40C,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 90A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:90A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:67nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3720pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:128W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.2 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK625R2-30C,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:90A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:54.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3470pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:128W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.2 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK625R0-40C,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 90A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:90A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:88nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5200pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:158W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK624R5-30C,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:90A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:78nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4707pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:158W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK6246-75C,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 22A DPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:46 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1280pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BUK653R4-40C,127 BUK653R5-55C,127 BUK653R7-30C,127 BUK654R0-75C,127 BUK654R6-55C,127 BUK654R8-40C,127 BUK655R0-75C,127 BUK6607-55C,118 BUK6607-75C,118 BUK6610-75C,118 BUK661R6-30C,118 BUK661R8-30C,118 BUK661R9-40C,118 BUK662R4-40C,118 BUK662R5-30C,118 BUK662R7-55C,118 BUK663R2-40C,118 BUK663R5-30C,118