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BUK663R5-30C,118

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  • 型號
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  • BUK663R5-30C,118
    BUK663R5-30C,118

    BUK663R5-30C,118

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT404

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

  • BUK663R5-30C,118
    BUK663R5-30C,118

    BUK663R5-30C,118

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Nexperia

  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • BUK663R5-30C,118
    BUK663R5-30C,118

    BUK663R5-30C,118

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5750

  • NXP/恩智浦

  • NA

  • 23+

  • -
  • 可訂貨,請確認

  • BUK663R5-30C,118
    BUK663R5-30C,118

    BUK663R5-30C,118

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13480313979

    地址:深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -
  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • BUK663R5-30C,118
    BUK663R5-30C,118

    BUK663R5-30C,118

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 800

  • NEXPERIA

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -
  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

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BUK663R5-30C,118 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CHAN 30V 100A
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BUK663R5-30C,118 技術(shù)參數(shù)
  • BUK663R2-40C,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):125nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):8020pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):204W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.2 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 BUK662R7-55C,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):258nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):15300pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):306W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.7 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 BUK662R5-30C,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):114nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):6960pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):204W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 BUK662R4-40C,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):199nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):11334pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):263W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.3 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 BUK661R9-40C,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):260nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):15100pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):306W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.9 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 BUK6E2R0-30C,127 BUK6E2R3-40C,127 BUK6E3R2-55C,127 BUK6E3R4-40C,127 BUK6E4R0-75C,127 BUK7105-40AIE,118 BUK7105-40ATE,118 BUK7107-40ATC,118 BUK7107-55AIE,118 BUK7107-55ATE,118 BUK7108-40AIE,118 BUK7109-75AIE,118 BUK7109-75ATE,118 BUK714R1-40BT,118 BUK7207-30B,118 BUK7208-40B,118 BUK7210-55B,118 BUK7210-55B/C1,118
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