BSP320S E6433

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BSP320S E6433
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
PG-SOT223-4
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

BSP320S E6433
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
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功能描述
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
RoHS
否
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
SIPMOS®
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

BSP320S E6433 技術參數

BSP320S E6327 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.9A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 2.9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:340pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP3-208/240-LC 功能描述:SURGE PROTECTOR 208/240V DRIVER 制造商:thomas research products 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 工作:240V 電壓 - 箝位:1000V（1kV）技術:混合技術功率（W）:- 電路數:1 應用:LED 保護封裝/外殼:模塊，導線引線供應商器件封裝:- 標準包裝:50 BSP3-208/240 功能描述:SURGE PROTECTOR 208/240V DRIVER 制造商:thomas research products 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 工作:240V 電壓 - 箝位:1000V（1kV）技術:混合技術功率（W）:- 電路數:1 應用:LED 保護封裝/外殼:模塊，導線引線供應商器件封裝:- 標準包裝:50 BSP32,115 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1.3W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 基本零件編號:BSP32 標準包裝:1 BSP318SL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 2.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP324H6327XTSA1 BSP324L6327HTSA1 BSP3-277 BSP3-277-20KA BSP3-277-20KA-TN BSP3-277-LC BSP33,115 BSP3-347 BSP3-347-LC BSP3-480 BSP3-480-20K BSP3-480-20KA BSP3-480-20KA-TN BSP3-480-LC BSP372 E6327 BSP372L6327HTSA1 BSP372NH6327XTSA1 BSP373 E6327