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深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
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深圳市眾芯微電子有限公司
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北京京北通宇電子元件有限公司
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中山市翔美達電子科技有限公司
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深圳市德力誠信科技有限公司
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科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
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聯(lián)系人：柯
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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223

BSP603S2LHUMA1 技術(shù)參數(shù)

BSP60,115 功能描述:TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.3V @ 500μA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:1.25W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 基本零件編號:BSP60 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP52T3G 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.3V @ 500μA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP52T3 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.3V @ 500μA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 BSP52T1G 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.3V @ 500μA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP52T1 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.3V @ 500μA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSP61E6327HTSA1 BSP61H6327XTSA1 BSP62,115 BSP62E6327HTSA1 BSP62H6327XTSA1 BSP716NH6327XTSA1 BSP742R BSP742RI BSP742RIXUMA1 BSP742RXUMA1 BSP742T BSP742TXUMA1 BSP752R BSP752RXUMA2 BSP752T BSP752TXUMA1 BSP75GQTA BSP75GQTC