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BSP254A,126

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  • 型號
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSP254A,126
    BSP254A,126

    BSP254A,126

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 76000

  • PHILIPS/NXP

  • SOT54.V

  • 2024+

  • -

  • 一級代理商原裝現(xiàn)貨

  • BSP254A,126
    BSP254A,126

    BSP254A,126

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 4000

  • PHILIPS

  • 標準封裝

  • 06+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質量

  • BSP254A,126
    BSP254A,126

    BSP254A,126

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

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  • 06+

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  • 功能描述
  • MOSFET AMMORA MOSFET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BSP254A,126 技術參數(shù)
  • BSP250,135 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:25nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:250pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.65W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 1A，10V 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 BSP250,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:25nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:250pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.65W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 1A，10V 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 BSP230,135 功能描述:MOSFET P-CH 300V 0.21A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:210mA（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.55V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:90pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 歐姆 @ 170mA，10V 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 BSP225,115 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.225A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:225mA（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:90pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 BSP220,115 功能描述:MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:225mA（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:90pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 BSP296NH6433XTMA1 BSP297 E6327 BSP297H6327XTSA1 BSP297L6327HTSA1 BSP298 E6327 BSP298H6327XUSA1 BSP298L6327HUSA1 BSP299 E6327 BSP299H6327XUSA1 BSP299L6327HUSA1 BSP300 E6327 BSP300H6327XUSA1 BSP300L6327HUSA1 BSP304A,126 BSP31,115 BSP3-120 BSP3-120-LC BSP315P-E6327
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