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BSC042N03MSGATMA1

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  • BSC042N03MSGATMA1
    BSC042N03MSGATMA1

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  • 中山市翔美達電子科技有限公司
    中山市翔美達電子科技有限公司

    聯系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 3000

  • 英飛凌

  • TO-3P

  • 22+

  • -
  • 原裝現貨

  • BSC042N03MSGATMA1
    BSC042N03MSGATMA1

    BSC042N03MSGATMA1

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:

    電話:13969210552

    地址:中國上海

  • 329255

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • 優(yōu)勢庫存,原裝正品

  • BSC042N03MSGATMA1
    BSC042N03MSGATMA1

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 329255

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • 現貨常備京北通宇商城可查價格

  • BSC042N03MSGATMA1
    BSC042N03MSGATMA1

    BSC042N03MSGATMA1

  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯系人:優(yōu)質現貨代理商

    電話:0755-82774613鄧先生(13480915249)微信同步0755-82774613鄧先生

    地址:深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 2696

  • Infineon Technologies

  • SMD

  • 22+

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  • 授權分銷商,可追溯原廠可含稅

  • BSC042N03MSGATMA1
    BSC042N03MSGATMA1

    BSC042N03MSGATMA1

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • BSC042N03MSGATMA1
    BSC042N03MSGATMA1

    BSC042N03MSGATMA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • BSC042N03MSGATMA1
    BSC042N03MSGATMA1

    BSC042N03MSGATMA1

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 2

  • INFINEON APAC (CHINA)

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -
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  • 1
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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Cut TR (SOS)
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8
BSC042N03MSGATMA1 技術參數
  • BSC042N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):20A(Ta),93A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.2 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3500pF @ 15V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC040N10NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 95μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5300pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC040N08NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 67μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3900pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC039N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):19A(Ta),100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 36μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):27nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2000pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),69W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.9 毫歐 @ 50A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC039N06NS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):19A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.9 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 36μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2000pF @ 30V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC0501NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 BSC050N03LS G BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03MSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 BSC050NE2LS BSC050NE2LSATMA1 BSC052N03LS BSC052N03LSATMA1 BSC052N03S G BSC052N08NS5ATMA1 BSC054N04NSGATMA1 BSC057N03LSGATMA1 BSC057N03MSGATMA1 BSC057N08NS3GATMA1
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