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BSC0500NSIATMA1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSC0500NSIATMA1
    BSC0500NSIATMA1

    BSC0500NSIATMA1

  • 天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
    天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司

    聯(lián)系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 100

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • 現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價格h...

  • BSC0500NSIATMA1
    BSC0500NSIATMA1

    BSC0500NSIATMA1

  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:2394575513590206539

    地址:深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 28100

  • INFINEON

  • SMD

  • 2022+

  • -
  • 原裝正品,公司現(xiàn)貨庫存假一罰十,電話:0...

  • BSC0500NSIATMA1
    BSC0500NSIATMA1

    BSC0500NSIATMA1

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13969210552

    地址:中國上海

  • 100

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • 現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價格h...

  • BSC0500NSIATMA1
    BSC0500NSIATMA1

    BSC0500NSIATMA1

  • 中山市翔美達電子科技有限公司
    中山市翔美達電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 3000

  • 英飛凌

  • TO-3P

  • 22+

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨

  • BSC0500NSIATMA1
    BSC0500NSIATMA1

    BSC0500NSIATMA1

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 100

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • 現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價格h...

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BSC0500NSIATMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • OptiMOS??
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 35A(Ta),100A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 1.3 毫歐 @ 30A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 52nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 3300pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 2.5W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • PG-TDSON-8
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 5,000
BSC0500NSIATMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSC048N025S G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):19A(Ta),89A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.8 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 35μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2670pF @ 15V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC047N08NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):18A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.7 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):69nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4800pF @ 40V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC046N10NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):17A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.6 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 120μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):63nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4500pF @ 50V 功率 - 最大值:156W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC046N02KSGAUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):19A(Ta),80A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 110μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):27.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4100pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.8W(Ta),48W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.6 毫歐 @ 50A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC046N02KS G 功能描述:MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):19A(Ta),80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.6 毫歐 @ 50A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 110μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):27.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4100pF @ 10V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC050NE2LSATMA1 BSC052N03LS BSC052N03LSATMA1 BSC052N03S G BSC052N08NS5ATMA1 BSC054N04NSGATMA1 BSC057N03LSGATMA1 BSC057N03MSGATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 BSC059N03S G BSC059N03ST BSC059N04LSGATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 BSC060P03NS3E G BSC060P03NS3EGATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 BSC065N06LS5ATMA1 BSC066N06NSATMA1
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