參數(shù)資料
型號： ATMEGA645V-8MI
廠商： Atmel
文件頁數(shù)： 17/85頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC AVR MCU FLASH 64K 1.8V 64QFN
產(chǎn)品培訓模塊： megaAVR Introduction
標準包裝： 260
系列： AVR® ATmega
核心處理器： AVR
芯體尺寸： 8-位
速度： 8MHz
連通性： SPI，UART/USART，USI
外圍設備： 欠壓檢測/復位，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 53
程序存儲器容量： 64KB（32K x 16）
程序存儲器類型： 閃存
EEPROM 大?。?/td> 2K x 8
RAM 容量： 4K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.8 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 8x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 64-VFQFN 裸露焊盤
包裝： 托盤
24
2570N–AVR–05/11
ATmega325/3250/645/6450
The following code examples show one assembly and one C function for writing to the
EEPROM. The examples assume that interrupts are controlled (e.g. by disabling interrupts glob-
ally) so that no interrupts will occur during execution of these functions. The examples also
assume that no Flash Boot Loader is present in the software. If such code is present, the
EEPROM write function must also wait for any ongoing SPM command to finish.
The next code examples show assembly and C functions for reading the EEPROM. The exam-
ples assume that interrupts are controlled so that no interrupts will occur during execution of
these functions.
Table 8-1.
EEPROM Programming Time
Symbol
Number of Calibrated
RC Oscillator Cycles
Typical Programming Time
EEPROM write (from CPU)
27,072
3.4ms
Assembly Code Example
EEPROM_write:
; Wait for completion of previous write
sbic
EECR,EEWE
rjmp
EEPROM_write
; Set up address (r18:r17) in address register
out
EEARH, r18
out
EEARL, r17
; Write data (r16) to Data Register
out
EEDR,r16
; Write logical one to EEMWE
sbi
EECR,EEMWE
; Start eeprom write by setting EEWE
sbi
EECR,EEWE
ret
C Code Example
void
EEPROM_write(unsigned int uiAddress, unsigned char ucData)
{
/* Wait for completion of previous write */
while(EECR & (1<<EEWE))
;
/* Set up address and Data Registers */
EEAR = uiAddress;
EEDR = ucData;
/* Write logical one to EEMWE */
EECR |= (1<<EEMWE);
/* Start eeprom write by setting EEWE */
EECR |= (1<<EEWE);
}
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PDF描述
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