參數(shù)資料
型號(hào)： ASIHF100-28
廠商： Advanced Semiconductor, Inc.
元件分類： 振蕩器
英文描述： 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator
中文描述： 14引腳DIP封裝，5.0伏，高速CMOS/TTL電平，時(shí)鐘振蕩器
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 73K
代理商： ASIHF100-28
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. D
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004 1/2
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS
T
C
= 25 °C
SYMBOL
BV
CEO
I
C
= 100 mA
BV
CES
I
C
= 100 mA
BV
CBO
I
C
= 100 mA
BV
EBO
I
E
= 10 mA
I
CES
V
CE
= 30 V
h
FE
V
CE
= 5.0 V I
C
= 5.0 A
NONE
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
35
UNITS
V
65
V
65
4.0
V
15
mA
10
200
---
C
ob
V
CB
= 30 V
f = 1.0 MHz
---
285
pF
G
P
IMD
3
V
CE
= 28 V
f
1
= 30.000 MHz I
CQ
= 100 mA f
2
= 30.001 MHz
P
IN
= 3.16 W P
PUT
= 100 W
15
16
-34
-30
dB
dBc
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
HF100-28
DESCRIPTION:
The
ASI HF100-28
is a class A silicon NPN
planar transistor, designed for SSB
communications. Diffused ballasting provide
High VSRW Capability under rated operating
conditions.
FEATURES:
P
G
= 15 dB min. at 100 W/30 MHz
High linear power output
IMD
3
= -30 dBc max. at 100 W
(PEP)
Omnigold
Metalization System
28 V CE operation
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CBO
V
CEO
V
EBO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
20 A
65 V
36 V
4.0 V
270 W @ T
C
= 25 °C
-65 °C to +200 °C
-65 °C to +150 °C
0.65 °C/W
PACKAGE STYLE .500 4L FLG
ORDER CODE: ASI10608
MINIMUM
.220 / 5.59
.720 / 18.28
.125 / 3.18
.245 / 6.22
.970 / 24.64
.495 / 12.57
B
C
D
E
F
G
H
I
J
A
MAXIMUM
.255 / 6.48
.7.30 / 18.54
.980 / 24.89
.505 / 12.83
.230 / 5.84
.003 / 0.08
.090 / 2.29
.150 / 3.81
.007 / 0.18
.110 / 2.79
.175 / 4.45
.280 / 7.11
DIM
K
L
.980 / 24.89
1.050 / 26.67
H
I
K
J
.112x45°
FULL R
C
E
B
G
D
F
A
L
.125 NOM.
.125 / 3.18
E
C
B
E
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ASIKV2801 A8499SLJ-T TAPE REEL
ASIMM8006 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
ASIMRAL1720-9 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator
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參數(shù)描述
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