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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AS7C33128PFD18B-166TQIN |
| 廠(chǎng)商： | ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 128K x 18 pipeline burst synchronous SRAM |
| 中文描述： | 128K X 18 STANDARD SRAM, 3.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/19頁(yè) |
| 文件大小： | 538K |
| 代理商： | AS7C33128PFD18B-166TQIN |
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AS7C33128PFD18B
1/31/05; v.1.2
Alliance Semiconductor
P. 12 of 19
Timing waveform of write cycle
Note: Y = XOR when LBO = high/no connect; Y = ADD when LBO = low.
t
CYC
t
CL
t
ADSPS
t
ADSPH
t
ADSCS
t
ADSCH
t
AS
t
AH
t
WS
t
WH
t
CSS
t
ADVS
t
DS
t
DH
CLK
ADSP
ADSC
Address
BWE
CE0, CE2
ADV
OE
Din
t
CSH
t
ADVH
D(A2Y01)
D(A2Y10)
D(A3)
D(A2)
D(A2Y01)
D(A3Y01)
D(A3Y10)
D(A1)
D(A2Y11)
ADV SUSPENDS BURST
ADSC LOADS NEW ADDRESS
A1
A2
A3
t
CH
CE1
BW[a:b]
Read
Q(A1)
Sus-
pend
Write
D(A1)
Read
Q(A2)
Suspend
Write
D(A2)
ADV
Burst
Write
D(A2Y01)
Suspend
Write
D(A2Y01)
ADV
Burst
Write
D(A2Y10)
Write
D(A3)
Burst
Write
D(A3Y01)
ADV
Burst
Write
D(A2Y11)
ADV
Burst
Write
D(A3Y10)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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