參數資料
型號： APTM60A23UT1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 20 A, 600 V, 0.276 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數： 4/5頁
文件大?。?/td> 139K
代理商： APTM60A23UT1G
APTM60A23UT1G
APT
M
60A23UT
1
G
–
Rev
0
Decem
b
er
,2007
www.microsemi.com
4 – 5
Typical Performance Curve
Low Voltage Output Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
12.5
25
37.5
50
62.5
75
0
5
10
15
20
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rren
t
(A)
VGS=10V
Low Voltage Output Characteristics
6V
5.5V
0
10
20
30
40
50
0
5
10
15
20
25
30
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rren
t(A)
TJ=125°C
VGS=7 &8V
Normalized RDSon vs. Temperature
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
25
50
75
100
125
150
TJ, Junction Temperature (°C)
R
DS
on
,
D
rai
n
to
S
o
u
rce
ON
resi
stan
c
e
VGS=10V
ID=17A
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
01
2345
67
VGS, Gate to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rren
t
(A)
VDS > ID(on)xRDS(on)MAX
250s pulse test @ < 0.5
duty cycle
Ciss
Crss
Coss
1
10
100
1000
10000
100000
0
50
100
150
200
VDS, Drain to Source Voltage (V)
C
,C
a
pa
c
it
a
nc
e
(
pF)
Capacitance vs Drain to Source Voltage
Gate Charge vs Gate to Source
VDS=120V
VDS=300V
VDS=480V
0
2
4
6
8
10
12
0
25
50
75
100
125
150
175
Gate Charge (nC)
V
GS
,G
a
te
t
o
Sour
c
e
V
o
lt
a
g
e
ID=17A
TJ=25°C
相關PDF資料
PDF描述
APTM60H23FT1G 20 A, 600 V, 0.23 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTML1002U60R020T3AG 20 A, 1000 V, 0.72 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTML202UM18R010T3AG 109 A, 200 V, 0.019 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTML502UM90R020T3AG 52 A, 500 V, 0.108 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APXD873.3M MOBILE STATION ANTENNA, 5 dBi GAIN
相關代理商/技術參數
參數描述
APTM60H23FT1G 功能描述:MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:- 標準包裝:10 系列:*
APTM60H23UT1G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR
APTMC120AM08CD3AG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE DISCRETES/MODULES 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES
APTMC120AM09CT3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（相角） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:295A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 200A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（標準） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:644nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11000pF @ 1000V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1
APTMC120AM12CT3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（相角） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:220A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 150A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（標準） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:483nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8400pF @ 1000V 功率 - 最大值:925W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*