參數(shù)資料
型號： APTGU70A60T
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-12
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 192K
代理商： APTGU70A60T
APTGU70A60T
A
PT
G
U
70
A
60
T
–
R
ev
0
M
ay
,2
00
3
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 3
Electrical Characteristics
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 375A
600
V
Tj = 25°C
375
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 600V
Tj = 125°C
3750
A
Tj = 25°C
2.2
2.7
VCE(on) Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 70A
Tj = 125°C
2.1
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 2 mA
3
6
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = ±20V, VCE = 0V
±150
nA
Dynamic Characteritics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Cies
Input Capacitance
9220
Coes
Output Capacitance
790
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
50
pF
Qg
Total gate Charge
270
Qge
Gate – Emitter Charge
60
Qgc
Gate – Collector Charge
VGE = 15V
VBus = 300V
IC = 70A
80
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
20
Tr
Rise Time
29
Td(off)
Turn-off Delay Time
64
Tf
Fall Time
45
ns
Eon1
Turn-on Switching Energy
770
Eon2
Turn-on Switching Energy
1288
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 70A
RG = 2.5
704
900
J
Td(on)
Turn-on Delay Time
20
Tr
Rise Time
29
Td(off)
Turn-off Delay Time
89
Tf
Fall Time
69
ns
Eon1
Turn-on Switching Energy
770
Eon2
Turn-on Switching Energy
1944
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 70A
RG = 2.5
1230 1900
J
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
IF(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
Tc = 85°C
60
A
IF = 60A
2.7
IF = 120A
2.7
VF
Diode Forward Voltage
IF = 60A
Tj = 150°C
1.5
V
Tj = 25°C
74
trr
Reverse Recovery Time
IF = 60A
VR = 400V
di/dt =400A/s Tj = 100°C
74
ns
Tj = 25°C
246
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 60A
VR = 400V
di/dt =400A/s Tj = 100°C
576
C
Eon2 includes diode reverse recovery
In accordance with JEDEC standard JESD24-1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGU70DA60T 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGU90DH120 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGU90H120 130 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTM100A12ST 68 A, 1000 V, 0.12 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTM100A12STG 68 A, 1000 V, 0.12 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGV100H60BTPG 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV100H60T3G 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV15H120T3G 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV25H120BG 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV25H120T3G 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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